都说固态硬盘寿命短，那么有谁把使用寿命用完了吗？

源济

都说固态硬盘寿命短，那么有谁把使用寿命用完了吗？

作者 / 北极

我的工作是做操作系统存储驱动相关的东西，包括文件系统、存储驱动、USB 都接触过，把盘写坏了的事情还是遇到过不少次的。

如果把写坏的盘做一个汇总，可以总结以下几个特点：

1. 基本上都是不出名的小厂的盘，大厂尤其是 Intel 的盘在压力测试下也没出过问题，Intel 的盘不仅耐用，并且掉电丢数据的情况也很少。

2. 新产品更容易坏，比如 NVMe 刚出来的时候，各种杂牌子的盘很多，坏的也多，但过了一段时间以后，NVMe 的稳定性比第一批盘要好。这个规则也适用于 SATA-SSD（以下简称 SSD），但是因为 SSD 已经比较成熟了，所以 SSD 的问题相对于 NVMe 来说要少一些。

3. 操作系统上层操作很难写坏一个盘，因为盘自身带缓存，解决方法是发送硬件的 flush(SYNC)命令，并且不要使用 TRIM 命令。

早年（大概 8 年前）SSD 刚开始普及的时候，杂牌子的 SSD 比较多，国外客户更是什么样的盘都有，寄过来一些故障盘，发现在持续烤机一段时间（大概一个月）以后，性能开始下降，文件系统（RTOS 上的）性能从 200MB/s 左右下降到不到 100MB/s，这个时候盘已经快要坏了，大版本 release 测试的时候发现性能有下降，会用不同的盘测一下，如果是某个特定的盘的问题，那么就会把这个盘从测试环境里取出来，不再继续使用。这些盘年代久远，印象不太深刻。

我印象深刻的是两年前我写坏过一个 NVMe 盘，盘不是我买的，但是因为我们文件系统的性能距离官方数据有一定差距，并且想研究一下 TRIM(DISCARD)的影响，我就拿过来研究了一下（顺便说一下，有几个回答里有人提到过这个品牌，这个品牌名声一般）。为了避免硬件缓存的影响，我每次测试之前，会全盘写一遍 0x55，再写一遍 0xAA，每写一段就发一个 SYNC 命令，这样能迫使硬件缓存完全失效，并且会完全消耗一次 PE 次数。写完一遍 55/AA 之后，再进行后续性能测试（以每次 256KB 的数据块写 2GB 的内容）。

这个 NVMe 盘（PCI-E）裸写的速度大概是 700-800MB/s，在我反复擦写 0x55/0xAA 大概 5 次左右的时候，盘的写速度突然掉到 200MB/s，之后一直就保持在这个速度上了。

基本上可以认为这个盘已经坏了。

评论有人说 SSD 跟 NVMe 是一种东西，不应该这么比，我回答里的 SSD 特指 SATA-SSD，二者的主控并不一样，NVMe 刚流行的那两年，因为主控问题导致 NVMe 挂掉的盘很多，第一批 NVMe 的主控技术并不好。主控对闪存的性能和寿命影响是很大的。

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所以，要问固态盘快要坏了的时候是什么现象，那么首先可能遇到的是掉速问题，频繁擦写（尤其是写一轮 55/AA）可能会导致固态盘的负载均衡算法失灵；也可能会零碎的丢失一些数据，但考虑到盘本身很大，如果不是像 Chia 那样 P 盘的话，未必能发现异常的数据块。

正常使用，尤其是用大厂的盘，一般不会有什么问题，我手头的 Intel SSD 730 Series 240GB，是 2014 年买的，作为系统盘使用至今没有任何问题。但另外一块 SanDisk 的 1T SSD，用了不到 4 年，已经有好几块坏快了（但还能用）。但是大厂的东西，贵是真的贵，一分钱一分货，十分钱两分货。

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写废盘的测试流程（注：绕过文件系统，直接操作驱动）：

1. 申请 256KB 的固定缓存；

2. 缓存填充 0x55，从第一个扇区写到最后一个扇区；

2.1. 每写完 1G，发送一次硬件 Flush 命令（NVMe：Flush Cmd 0x00，SATA：ATA_CMD_FLUSH 0xE7/0xEA）

3. 缓存填充 0xAA，从第一个扇区写到最后一个扇区；

3.1. 每写完 1G，发送一次硬件 Flush 命令（同上）

4. 准备 1-2GB 的内存，按偏移量对 0x100 求余填充数据

5. 计时，写入数据，计算性能

6. 计时，读取数据，计算性能，校验

7. 发送 Flush 命令，并重复 4-6 步骤多次（>5）求平均数